コンパクトな形状で大きなサージ電流耐量を実現

• 8/20µsサージ電流耐量 5,000 A のきわめて高い耐サージ電流特性
• EIA1210 ～2220のコンパクトな形状
• 使用温度範囲+125℃（ディレーティングなし）

TDK株式会社（社長：上釜 健宏）は、EPCOSブランド積層チップバリスタMLVシリーズを発表します。本シリーズは、最大許容回路電圧65 V DC、8/20 µsサージ電流1回印加時で電流耐量が5,000 A max.、10回印加時で3,500 A max.と、きわめて大きなサージ電流耐量を特長とします。また、面実装（SMD）タイプで、ケースサイズEIA1210～2220（3.2mm×2.5mm～5.7mm×5.0mm）のきわめてコンパクトな設計です。リード線付ディスクバリスタやツェナーダイオードなどの半導体系サージ吸収素子と同等の性能や信頼性を備えながら、大幅な省スペース化を実現しています。

本シリーズは、新組成高性能セラミック材料の採用と素子設計の改良により、従来製品比約3倍の電流密度を得ることに成功しました。これにより、面積比で約3分の１のEIA1210まで小型化することが可能となりました。EIA1210のコンパクトな形状でありながら、最大エネルギー耐量は2msパルス印加時で約15Jと、従来シリーズのEIA2220と同じ特性を実現しています。

さらに、本シリーズは機械的強度にも優れ、熱機械特性が高いのも特長です。他にも、125 °Cの高温度下でもディレーティングがないため、高温領域でもきわめて高いサージ吸収性能を発揮します。また、鉛フリーのリフローはんだ付けプロセスに対応し、実装信頼性も万全です。本シリーズは、通信システムやPoE（Power-over-Ethernet）システムの電源の過電圧保護に好適です。

主な用途

• 通信システム電源の過電圧保護対策
• PoEシステム電源の過電圧保護対策

主な特長と利点

• 8/20µsサージ電流耐量 5,000 A のきわめて高い耐サージ電流特性
• EIA 1210～2220のコンパクトな形状
• 使用温度範囲+125 °C（ディレーティングなし）
• 鉛フリー